STS9P2UH7

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STS9P2UH7
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
Livret des spécifications:	STS9P2UH7.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5857 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5857 pcs

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Spécifications de STS9P2UH7

Modèle de produit	STS9P2UH7	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5857 pcs	Fiche technique	STS9P2UH7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	2.7W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	497-15155-2
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 16V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 9A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9A (Tc)

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Après vente
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