STP18N60DM2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP18N60DM2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 12A
Livret des spécifications:	STP18N60DM2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	72827 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72827 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.052

50 pcs: $0.85

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Spécifications de STP18N60DM2

Modèle de produit	STP18N60DM2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 12A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	72827 pcs	Fiche technique	STP18N60DM2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	MDmesh™ DM2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	295 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	90W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-16338-5
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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