STP12N50M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP12N50M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB
Livret des spécifications:	STP12N50M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	77347 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 77347 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.998

50 pcs: $0.804

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500 pcs: $0.563

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Spécifications de STP12N50M2

Modèle de produit	STP12N50M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	77347 pcs	Fiche technique	STP12N50M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	MDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	85W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-15273-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	500V
Description détaillée	N-Channel 500V 10A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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