STP11N52K3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP11N52K3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 525V 10A TO-220
Livret des spécifications:	STP11N52K3.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	54049 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54049 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.223

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Spécifications de STP11N52K3

Modèle de produit	STP11N52K3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 525V 10A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	54049 pcs	Fiche technique	STP11N52K3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	SuperMESH3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	510 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-11870-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	525V
Description détaillée	N-Channel 525V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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