STP110N8F7

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP110N8F7
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
Livret des spécifications:	1.STP110N8F7.pdf 2.STP110N8F7.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	83219 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 83219 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.79

50 pcs: $0.639

100 pcs: $0.575

500 pcs: $0.447

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Spécifications de STP110N8F7

Modèle de produit	STP110N8F7	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 80V 80A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	83219 pcs	Fiche technique	1.STP110N8F7.pdf 2.STP110N8F7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	170W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-16486-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	46 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3435pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	46.8nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	80V	Description détaillée	N-Channel 80V 80A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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