STN2NE10L

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STN2NE10L
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
Livret des spécifications:	STN2NE10L.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	139715 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 139715 pcs

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Spécifications de STN2NE10L

Modèle de produit	STN2NE10L	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	139715 pcs	Fiche technique	STN2NE10L.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	345pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 1.8A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.8A (Tc)

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Après vente
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