STGB40H65FB

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STGB40H65FB
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
Livret des spécifications:	STGB40H65FB.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	58771 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58771 pcs

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Spécifications de STGB40H65FB

Modèle de produit	STGB40H65FB	Fabricant	STMicroelectronics
La description	IGBT BIPO 650V 40A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	58771 pcs	Fiche technique	STGB40H65FB.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 40A
Condition de test	400V, 40A, 5 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	40ns/142ns
énergie de commutation	498µJ (on), 363µJ (off)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	HB	Puissance - Max	283W
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms	497-16977-2 STGB40H65FB-ND	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
gate charge	210nC	Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	160A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	80A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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