STD16N65M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD16N65M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Livret des spécifications:	STD16N65M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	85172 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 85172 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.916

10 pcs: $0.824

100 pcs: $0.662

500 pcs: $0.544

1000 pcs: $0.451

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Spécifications de STD16N65M2

Modèle de produit	STD16N65M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 11A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	85172 pcs	Fiche technique	STD16N65M2.pdf
Tension - Test	718pF @ 100V	Tension - Ventilation	DPAK
Vgs (th) (Max) @ Id	360 mOhm @ 5.5A, 10V	Vgs (Max)	10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	MDmesh™ M2
État RoHS	Digi-Reel®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11A (Tc)
Polarisation	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-15258-6
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	26 Weeks
Référence fabricant	STD16N65M2	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	19.5nC @ 10V
type de IGBT	±25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	650V	Ratio de capacité	110W (Tc)

Mode de transport
Après vente
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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