STB7ANM60N

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STB7ANM60N
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V DPAK
Livret des spécifications:	STB7ANM60N.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	71792 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 71792 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de STB7ANM60N

Modèle de produit	STB7ANM60N	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	71792 pcs	Fiche technique	STB7ANM60N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250mA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	45W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	497-13935-2 STB7ANM60N-ND
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	363pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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