STB14N80K5

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STB14N80K5
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Livret des spécifications:	1.STB14N80K5.pdf 2.STB14N80K5.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	40570 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40570 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de STB14N80K5

Modèle de produit	STB14N80K5	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	40570 pcs	Fiche technique	1.STB14N80K5.pdf 2.STB14N80K5.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	MDmesh™ K5	Rds On (Max) @ Id, Vgs	445 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	130W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 12A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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