SCT20N120

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SCT20N120
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Livret des spécifications:	1.SCT20N120.pdf 2.SCT20N120.pdf 3.SCT20N120.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	9095 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9095 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $5.588

30 pcs: $4.923

120 pcs: $4.337

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Spécifications de SCT20N120

Modèle de produit	SCT20N120	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	9095 pcs	Fiche technique	1.SCT20N120.pdf 2.SCT20N120.pdf 3.SCT20N120.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA	Vgs (Max)	+25V, -10V
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	Package composant fournisseur	HiP247™
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 20V
Dissipation de puissance (max)	175W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	497-15170
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 400V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 20V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	20V	Tension drain-source (Vdss)	1200V
Description détaillée	N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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