SCT2160KEC

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SCT2160KEC
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Livret des spécifications:	1.SCT2160KEC.pdf 2.SCT2160KEC.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	7082 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7082 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $6.026

10 pcs: $5.478

25 pcs: $5.067

100 pcs: $4.656

250 pcs: $4.245

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Spécifications de SCT2160KEC

Modèle de produit	SCT2160KEC	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	7082 pcs	Fiche technique	1.SCT2160KEC.pdf 2.SCT2160KEC.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA	Vgs (Max)	+22V, -6V
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	Package composant fournisseur	TO-247
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	208 mOhm @ 7A, 18V
Dissipation de puissance (max)	165W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	SCT2160KECU
Température de fonctionnement	175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 800V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 18V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	18V	Tension drain-source (Vdss)	1200V
Description détaillée	N-Channel 1200V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	22A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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