APTMC120AM08CD3AG

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTMC120AM08CD3AG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Livret des spécifications:	APTMC120AM08CD3AG.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	68 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68 pcs

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Spécifications de APTMC120AM08CD3AG

Modèle de produit	APTMC120AM08CD3AG	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	68 pcs	Fiche technique	APTMC120AM08CD3AG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 10mA (Typ)	Package composant fournisseur	D3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 200A, 20V
Puissance - Max	1100W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	D-3 Module	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	32 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9500pF @ 1000V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	490nC @ 20V
type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Fonction FET	Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 1100W Chassis Mount D3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	250A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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