APTM60A23FT1G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTM60A23FT1G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1
Livret des spécifications:	1.APTM60A23FT1G.pdf 2.APTM60A23FT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4535 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4535 pcs

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Spécifications de APTM60A23FT1G

Modèle de produit	APTM60A23FT1G	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4535 pcs	Fiche technique	1.APTM60A23FT1G.pdf 2.APTM60A23FT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Package composant fournisseur	SP1
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	276 mOhm @ 17A, 10V
Puissance - Max	208W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP1	Autres noms	APTM60A23UT1G APTM60A23UT1G-ND
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5316pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
type de FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Fonction FET	Standard
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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