APTM120DA30CT1G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTM120DA30CT1G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Livret des spécifications:	APTM120DA30CT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	1415 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1415 pcs

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Spécifications de APTM120DA30CT1G

Modèle de produit	APTM120DA30CT1G	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	1415 pcs	Fiche technique	APTM120DA30CT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SP1
Séries	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)	657W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP1	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	32 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14560pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	1200V
Description détaillée	N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	31A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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