APT58M80J

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT58M80J
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Livret des spécifications:	1.APT58M80J.pdf 2.APT58M80J.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	2006 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2006 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $19.388

10 pcs: $18.248

30 pcs: $17.108

100 pcs: $16.309

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Spécifications de APT58M80J

Modèle de produit	APT58M80J	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	2006 pcs	Fiche technique	1.APT58M80J.pdf 2.APT58M80J.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 5mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-227
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 43A, 10V
Dissipation de puissance (max)	960W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	SOT-227-4, miniBLOC	Autres noms	APT58M80JMI APT58M80JMI-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	17550pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	570nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	800V	Description détaillée	N-Channel 800V 60W (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	60W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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