APT12M80B

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT12M80B
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
Livret des spécifications:	1.APT12M80B.pdf 2.APT12M80B.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5248 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5248 pcs

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Spécifications de APT12M80B

Modèle de produit	APT12M80B	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 800V 13A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5248 pcs	Fiche technique	1.APT12M80B.pdf 2.APT12M80B.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247 [B]
Séries	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	335W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2470pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	800V	Description détaillée	N-Channel 800V 13A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	13A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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