APT12067B2FLLG

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT12067B2FLLG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Livret des spécifications:	APT12067B2FLLG.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5298 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5298 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $12.133

10 pcs: $11.224

100 pcs: $9.556

250 pcs: $8.798

500 pcs: $8.343

1000 pcs: $7.887

2500 pcs: $7.645

5000 pcs: $7.432

10000 pcs: $7.281

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Spécifications de APT12067B2FLLG

Modèle de produit	APT12067B2FLLG	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5298 pcs	Fiche technique	APT12067B2FLLG.pdf
Tension - Test	4420pF @ 25V	Tension - Ventilation	T-MAX™ [B2]
Vgs (th) (Max) @ Id	670 mOhm @ 9A, 10V	La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Séries	POWER MOS 7®	État RoHS	Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18A (Tc)	Polarisation	TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	APT12067B2FLLG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	150nC @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	5V @ 2.5mA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 1200V (1.2kV) 18A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1200V (1.2kV)	Ratio de capacité	565W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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