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LAPIS Semiconductor
| Modèle de produit | RT1A060APTR | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 12V 6A TSST8 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 306071 pcs | Fiche technique | 1.RT1A060APTR.pdf2.RT1A060APTR.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | -8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 8-TSST |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 600mW (Ta) | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead | Autres noms | RT1A060APCT RT1A060APTRCT RT1A060APTRCT-ND |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 4.5V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 12V | Description détaillée | P-Channel 12V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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