RT1A045APTCR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RT1A045APTCR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
Livret des spécifications:	1.RT1A045APTCR.pdf 2.RT1A045APTCR.pdf 3.RT1A045APTCR.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	197018 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 197018 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.29

10 pcs: $0.244

100 pcs: $0.183

500 pcs: $0.134

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Spécifications de RT1A045APTCR

Modèle de produit	RT1A045APTCR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	197018 pcs	Fiche technique	1.RT1A045APTCR.pdf 2.RT1A045APTCR.pdf 3.RT1A045APTCR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	-8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-TSST
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	650mW (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SMD, Flat Lead	Autres noms	RT1A045APTCRCT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 4.5V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)	12V	Description détaillée	P-Channel 12V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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