TPH3202LD

Transphorm

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPH3202LD
Fabricant / marque:	Transphorm
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 9A PQFN
Livret des spécifications:	TPH3202LD.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	9782 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9782 pcs

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Spécifications de TPH3202LD

Modèle de produit	TPH3202LD	Fabricant	Transphorm
La description	MOSFET N-CH 600V 9A PQFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	9782 pcs	Fiche technique	TPH3202LD.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±18V
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)	Package composant fournisseur	PQFN (8x8)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 5.5A, 8V
Dissipation de puissance (max)	65W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	4-PowerDFN	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 480V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	8V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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