Modèle de produit | SSM6J801R,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
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La description | MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP-F | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 582915 pcs | Fiche technique | SSM6J801R,LF.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | +6V, -8V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 6-TSOP-F |
Séries | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5 mOhm @ 3A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 6-SMD, Flat Leads | Autres noms | SSM6J801R,LF(B SSM6J801R,LF(T SSM6J801RLF SSM6J801RLF(B SSM6J801RLF(T SSM6J801RLFTR |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 4.5V |
type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | P-Channel 20V 6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
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