2SK2266(TE24R,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SK2266(TE24R,Q)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM
Livret des spécifications:	1.2SK2266(TE24R,Q).pdf 2.2SK2266(TE24R,Q).pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5075 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5075 pcs

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Spécifications de 2SK2266(TE24R,Q)

Modèle de produit	2SK2266(TE24R,Q)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5075 pcs	Fiche technique	1.2SK2266(TE24R,Q).pdf 2.2SK2266(TE24R,Q).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220SM
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)	65W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	N-Channel 60V 45A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	45A (Ta)

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Après vente
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