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TSC (Taiwan Semiconductor)
| Modèle de produit | TSM061NA03CV RGG | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 98566 pcs | Fiche technique | TSM061NA03CV RGG.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 8-PDFN (3x3) |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 44.6W (Tc) | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 8-PowerWDFN | Autres noms | TSM061NA03CV RGGCT TSM061NA03CV RGGCT-ND TSM061NA03CVRGGCT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 30 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1136pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19.3nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | N-Channel 30V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 66A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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