STW30NM60D

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STW30NM60D
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Livret des spécifications:	STW30NM60D.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	11873 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11873 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

600 pcs: $2.98

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Spécifications de STW30NM60D

Modèle de produit	STW30NM60D	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 30A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	11873 pcs	Fiche technique	STW30NM60D.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247-3
Séries	MDmesh™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)	312W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	497-4426-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2520pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 30A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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