STS20N3LLH6

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STS20N3LLH6
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Livret des spécifications:	STS20N3LLH6.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	50140 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50140 pcs

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Spécifications de STS20N3LLH6

Modèle de produit	STS20N3LLH6	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	50140 pcs	Fiche technique	STS20N3LLH6.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	DeepGATE™, STripFET™ VI	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.7W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	497-10580-6
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 20A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)

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Après vente
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