STP33N60DM2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP33N60DM2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 24A
Livret des spécifications:	STP33N60DM2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	44983 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 44983 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.559

50 pcs: $1.251

100 pcs: $1.14

500 pcs: $0.923

1000 pcs: $0.779

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Spécifications de STP33N60DM2

Modèle de produit	STP33N60DM2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 24A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	44983 pcs	Fiche technique	STP33N60DM2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	MDmesh™ DM2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-16352-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1870pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	24A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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