STP19NB20

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP19NB20
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Livret des spécifications:	STP19NB20.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	92487 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 92487 pcs

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Spécifications de STP19NB20

Modèle de produit	STP19NB20	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	92487 pcs	Fiche technique	STP19NB20.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	PowerMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-2650-5
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	200V
Description détaillée	N-Channel 200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	19A (Tc)

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Après vente
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