STLD200N4F6AG

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STLD200N4F6AG
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Livret des spécifications:	STLD200N4F6AG.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	75066 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 75066 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de STLD200N4F6AG

Modèle de produit	STLD200N4F6AG	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	75066 pcs	Fiche technique	STLD200N4F6AG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Séries	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max)	158W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Autres noms	497-17148-2
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10700pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	172nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	40V	Description détaillée	N-Channel 40V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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