STI24N60M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STI24N60M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
Livret des spécifications:	STI24N60M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	54259 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54259 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.437

50 pcs: $1.154

100 pcs: $1.051

500 pcs: $0.851

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Spécifications de STI24N60M2

Modèle de produit	STI24N60M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	54259 pcs	Fiche technique	STI24N60M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAK
Séries	MDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Autres noms	497-13775-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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