STI12N65M5

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STI12N65M5
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
Livret des spécifications:	STI12N65M5.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4707 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4707 pcs

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Spécifications de STI12N65M5

Modèle de produit	STI12N65M5	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4707 pcs	Fiche technique	STI12N65M5.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAK
Séries	MDmesh™ V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 4.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	70W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Autres noms	497-11326-5
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8.5A (Tc)

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Après vente
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