STH180N10F3-2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STH180N10F3-2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
Livret des spécifications:	STH180N10F3-2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	30103 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 30103 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1000 pcs: $1.209

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Spécifications de STH180N10F3-2

Modèle de produit	STH180N10F3-2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	30103 pcs	Fiche technique	STH180N10F3-2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	H2Pak-2
Séries	STripFET™ III	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)	315W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	497-11216-2 STH180N10F32
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6665pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	114.6nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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