STFW1N105K3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STFW1N105K3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
Livret des spécifications:	STFW1N105K3.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	48062 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 48062 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.404

30 pcs: $1.129

120 pcs: $1.029

510 pcs: $0.833

1020 pcs: $0.702

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Spécifications de STFW1N105K3

Modèle de produit	STFW1N105K3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	48062 pcs	Fiche technique	STFW1N105K3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	ISOWATT-218FX
Séries	SuperMESH3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 Ohm @ 600mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	20W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	ISOWATT218FX	Autres noms	497-13646-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	1050V
Description détaillée	N-Channel 1050V 1.4A (Tc) 20W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.4A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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