STFI8N80K5

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STFI8N80K5
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
Livret des spécifications:	STFI8N80K5.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	52348 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52348 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.253

10 pcs: $1.119

100 pcs: $0.918

500 pcs: $0.743

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Spécifications de STFI8N80K5

Modèle de produit	STFI8N80K5	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	52348 pcs	Fiche technique	STFI8N80K5.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAKFP (TO-281)
Séries	SuperMESH5™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	25W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Autres noms	497-13868-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	16.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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