STFI28N60M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STFI28N60M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP
Livret des spécifications:	STFI28N60M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	23052 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 23052 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.241

10 pcs: $2.003

100 pcs: $1.642

500 pcs: $1.33

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Spécifications de STFI28N60M2

Modèle de produit	STFI28N60M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	23052 pcs	Fiche technique	STFI28N60M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAKFP (TO-281)
Séries	MDmesh™ II Plus	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (max)	30W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Autres noms	497-15001-5
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1440pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 22A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	22A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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