STD1HNC60T4

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD1HNC60T4
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Livret des spécifications:	STD1HNC60T4.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	84818 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 84818 pcs

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Spécifications de STD1HNC60T4

Modèle de produit	STD1HNC60T4	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 2A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	84818 pcs	Fiche technique	STD1HNC60T4.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	PowerMESH™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)	50W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-2485-1
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	228pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 2A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)

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Après vente
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