STD11N60M2-EP

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STD11N60M2-EP
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,
Livret des spécifications:	1.STD11N60M2-EP.pdf 2.STD11N60M2-EP.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	79416 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 79416 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.605

10 pcs: $0.535

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500 pcs: $0.328

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Spécifications de STD11N60M2-EP

Modèle de produit	STD11N60M2-EP	Fabricant	STMicroelectronics
La description	N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	79416 pcs	Fiche technique	1.STD11N60M2-EP.pdf 2.STD11N60M2-EP.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	MDmesh™ M2-EP	Rds On (Max) @ Id, Vgs	595 mOhm @ 3.75A, 10V
Dissipation de puissance (max)	85W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	497-16936-1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	12.4nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7.5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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