STB10N65K3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STB10N65K3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Livret des spécifications:	STB10N65K3.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	64097 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64097 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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100 pcs: $0.74

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Spécifications de STB10N65K3

Modèle de produit	STB10N65K3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	64097 pcs	Fiche technique	STB10N65K3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	SuperMESH3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 3.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	497-14032-6
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 10A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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