PD20010-E

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	PD20010-E
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Livret des spécifications:	PD20010-E.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	7094 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7094 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $6.537

50 pcs: $5.757

100 pcs: $5.072

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Spécifications de PD20010-E

Modèle de produit	PD20010-E	Fabricant	STMicroelectronics
La description	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	7094 pcs	Fiche technique	PD20010-E.pdf
Tension - Test	13.6V	Tension - Nominale	40V
Transistor Type	LDMOS	Package composant fournisseur	PowerSO-10RF (Formed Lead)
Séries	-	Alimentation - sortie	10W
Emballage	Tube	Package / Boîte	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Autres noms	497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E	Noise Figure	-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Délai de livraison standard du fabricant	25 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Gain	11dB
La fréquence	2GHz	Description détaillée	RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Note actuelle	5A	Courant - Test	150mA
Numéro de pièce de base	PD20010

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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