NAND512R3A2BZA6E

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NAND512R3A2BZA6E
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
Livret des spécifications:	NAND512R3A2BZA6E.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	10374 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 10374 pcs

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Spécifications de NAND512R3A2BZA6E

Modèle de produit	NAND512R3A2BZA6E	Fabricant	STMicroelectronics
La description	IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	10374 pcs	Fiche technique	NAND512R3A2BZA6E.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	60ns	Tension - Alimentation	1.7 V ~ 1.95 V
La technologie	FLASH - NAND	Package composant fournisseur	63-VFBGA (8.5x15)
Séries	-	Emballage	Tray
Package / Boîte	63-VFBGA	Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Type de mémoire	Non-Volatile	Taille mémoire	512Mb (64M x 8)
Interface mémoire	Parallel	Format de mémoire	FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Description détaillée	FLASH - NAND Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 60ns 63-VFBGA (8.5x15)
Numéro de pièce de base	NAND512	Temps d'accès	60ns

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Après vente
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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