IRF840

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRF840
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
Livret des spécifications:	IRF840.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	71952 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 71952 pcs

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Spécifications de IRF840

Modèle de produit	IRF840	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 500V 8A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	71952 pcs	Fiche technique	IRF840.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	PowerMESH™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-2731-5
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	832pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	500V
Description détaillée	N-Channel 500V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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