IRF640FP

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRF640FP
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
Livret des spécifications:	IRF640FP.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	79598 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 79598 pcs

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Spécifications de IRF640FP

Modèle de produit	IRF640FP	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	79598 pcs	Fiche technique	IRF640FP.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220FP
Séries	MESH OVERLAY™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)	40W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1560pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	200V	Description détaillée	N-Channel 200V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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