BUZ10

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BUZ10
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 50V 23A TO-220
Livret des spécifications:	BUZ10.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	88537 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 88537 pcs

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Spécifications de BUZ10

Modèle de produit	BUZ10	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 50V 23A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	88537 pcs	Fiche technique	BUZ10.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max)	75W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-2728-5
Température de fonctionnement	175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	50V	Description détaillée	N-Channel 50V 23A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	23A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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