2N7000

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2N7000
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
Livret des spécifications:	2N7000.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	1071072 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1071072 pcs

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Spécifications de 2N7000

Modèle de produit	2N7000	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	1071072 pcs	Fiche technique	2N7000.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±18V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	1W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Autres noms	497-3110
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	43pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 350mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	350mA (Tc)

Mode de transport
Après vente
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