SE40PDHM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SE40PDHM3/86A
Fabricant / marque:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Description du produit	DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A
Livret des spécifications:	SE40PDHM3/86A.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	6036 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6036 pcs

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Spécifications de SE40PDHM3/86A

Modèle de produit	SE40PDHM3/86A	Fabricant	Vishay Semiconductor Diodes Division
La description	DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	6036 pcs	Fiche technique	SE40PDHM3/86A.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	2.4A (DC)
Tension - Ventilation	TO-277A (SMPC)	Séries	Automotive, AEC-Q101
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	28pF @ 4V, 1MHz	Polarisation	TO-277, 3-PowerDFN
Température d'utilisation - Jonction	2.2µs	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	SE40PDHM3/86A
Description élargie	Diode Standard 200V 2.4A (DC) Surface Mount TO-277A (SMPC)	Configuration diode	10µA @ 200V
La description	DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A	Courant - fuite, inverse à Vr	1.05V @ 2A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	200V	Capacité à Vr, F	-55°C ~ 175°C

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Après vente
Livret des spécifications

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