S1AFM-M3/6B

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Présentation du produit

Modèle de produit:	S1AFM-M3/6B
Fabricant / marque:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Description du produit	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
Livret des spécifications:	S1AFM-M3/6B.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	779195 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 779195 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de S1AFM-M3/6B

Modèle de produit	S1AFM-M3/6B	Fabricant	Vishay Semiconductor Diodes Division
La description	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	779195 pcs	Fiche technique	S1AFM-M3/6B.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1A
Tension - Ventilation	DO-221AC (SlimSMA)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	7.9pF @ 4V, 1MHz	Polarisation	DO-221AC, SMA Flat Leads
Température d'utilisation - Jonction	1.47µs	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	20 Weeks
Référence fabricant	S1AFM-M3/6B	Description élargie	Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount DO-221AC (SlimSMA)
Configuration diode	5µA @ 1000V	La description	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
Courant - fuite, inverse à Vr	1.1V @ 1A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	1000V (1kV)
Capacité à Vr, F	-55°C ~ 150°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR les circuits intégrés, la protection des circuits, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs, les relais)

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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