RF5110GTR7

RFMD

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RF5110GTR7
Fabricant / marque:	RFMD
Description du produit	IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN
Livret des spécifications:	RF5110GTR7.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	32986 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 32986 pcs

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Spécifications de RF5110GTR7

Modèle de produit	RF5110GTR7	Fabricant	RFMD
La description	IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	32986 pcs	Fiche technique	RF5110GTR7.pdf
Tension - Ventilation	16-QFN (3x3)	Fréquence de test	GSM, GPRS
style de la coque	2.7 V ~ 4.8 V	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	type de RF	-
Polarisation	16-VFQFN Exposed Pad	Autres noms	5110G 689-1030-2
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	2 (1 Year)	Délai de livraison standard du fabricant	12 Weeks
Référence fabricant	RF5110GTR7	Groupe de fréquence	-
La fréquence	800MHz ~ 950MHz	type de FET	32dB
Description élargie	RF Amplifier IC GSM, GPRS 800MHz ~ 950MHz 16-QFN (3x3)	La description	IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN
Courant - Test	-	Offre actuelle	15mA ~ 335mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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