PMV65XP/MIR

Nexperia

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Présentation du produit

Modèle de produit:	PMV65XP/MIR
Fabricant / marque:	Nexperia
Description du produit	MOSFET P-CH 20V SOT23
Livret des spécifications:	PMV65XP/MIR.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4516 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4516 pcs

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Spécifications de PMV65XP/MIR

Modèle de produit	PMV65XP/MIR	Fabricant	Nexperia
La description	MOSFET P-CH 20V SOT23	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4516 pcs	Fiche technique	PMV65XP/MIR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-236AB
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	74 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	480mW (Ta), 4.17W (Tc)	Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms	934068504215	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	744pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	P-Channel 20V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.8A (Ta)

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Après vente
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