JAN2N6770

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JAN2N6770
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
Livret des spécifications:	JAN2N6770.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	4341 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4341 pcs

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Spécifications de JAN2N6770

Modèle de produit	JAN2N6770	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH TO-204AE TO-3	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	4341 pcs	Fiche technique	JAN2N6770.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-204AE (TO-3)
Séries	Military, MIL-PRF-19500/543	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)	4W (Ta), 150W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-204AE	Autres noms	JAN2N6770-MIL
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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