JAN2N6350

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JAN2N6350
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	TRANS NPN DARL 80V 5A TO33
Livret des spécifications:	JAN2N6350.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	5357 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5357 pcs

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Spécifications de JAN2N6350

Modèle de produit	JAN2N6350	Fabricant	Microsemi
La description	TRANS NPN DARL 80V 5A TO33	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	5357 pcs	Fiche technique	JAN2N6350.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	80V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 5mA, 5A
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	TO-33
Séries	Military, MIL-PRF-19500/472	Puissance - Max	1W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
Autres noms	1086-16197 1086-16197-MIL	Température de fonctionnement	-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 5A 1W Through Hole TO-33	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 5A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	-	Courant - Collecteur (Ic) (max)	5A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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